MT40A512M16TB-062E:R

MT40A512M16TB-062E:R

MT40A512M16TB-062E:R は、x16 構成では 8 セットの DRAM、x4 および x8 構成では 16 セットの DRAM として内部構成された高速ダイナミック ランダム アクセス メモリです。 DDR4 SDRAM は 8n リフレッシュ アーキテクチャを採用し、高速動作を実現します。 8n プリフェッチ アーキテクチャは、I/O ピンでクロック サイクルごとに 2 つのデータ ワードを送信するように設計されたインターフェイスと組み合わされています。

モデル:MT40A512M16TB-062E:R

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製品説明

MT40A512M16TB-062E:R は、x16 構成では 8 セットの DRAM、x4 および x8 構成では 16 セットの DRAM として内部構成された高速ダイナミック ランダム アクセス メモリです。 DDR4 SDRAM は 8n リフレッシュ アーキテクチャを採用し、高速動作を実現します。 8n プリフェッチ アーキテクチャは、I/O ピンでクロック サイクルごとに 2 つのデータ ワードを送信するように設計されたインターフェイスと組み合わされています。

製品の属性

製品タイプ: ダイナミック ランダム アクセス メモリ

タイプ: SDRAM - DDR4

取り付けスタイル: SMD/SMT

パッケージ/ボックス: FBGA-96

データバス幅:16ビット

編成:512M×16

ストレージ容量:8Gビット

アクセスタイム:160ps

電源電圧 - 最大: 1.26 V

電源電圧 - 最小: 1.14 V

最低使用温度: 0℃

最高動作温度:+95 °C


応用

クラウドサーバーとデータセンター

自動車

インタラクティブな健康カウンセリングとパーソナライズされた健康モニタリング

産業用モノのインターネットとインダストリー 4.0

ゲーミングPC

エッジおよびビデオ監視サーバー


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