MT40A512M16TB-062E:R は、x16 構成では 8 セットの DRAM、x4 および x8 構成では 16 セットの DRAM として内部構成された高速ダイナミック ランダム アクセス メモリです。 DDR4 SDRAM は 8n リフレッシュ アーキテクチャを採用し、高速動作を実現します。 8n プリフェッチ アーキテクチャは、I/O ピンでクロック サイクルごとに 2 つのデータ ワードを送信するように設計されたインターフェイスと組み合わされています。
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D Micron NAND フラッシュ デバイスには、高性能 I/O 操作のための非同期データ インターフェイスが含まれています。これらのデバイスは、高度に多重化された 8 ビット バス (I/Ox) を使用してコマンド、アドレス、データを送信します。
MT25QL256ABA8E12-0AAT シリアル NOR フラッシュ メモリはピンの数が少なく、シンプルで使いやすく、シャドウ アプリケーションのエンコードに適したシンプルなソリューションです。家庭用電化製品、産業、有線通信、およびコンピューティング アプリケーションのニーズを満たすことができます。このデバイスは業界標準のパッケージング、ピン割り当て、コマンド セット、チップセットの互換性を採用しており、さまざまな設計に簡単に採用できます。これにより、既存および将来の設計との互換性を確保しながら、貴重な開発時間を節約できます。製品仕様:
MT40A2G8SA-062E:F は、製品の発売時間を短縮し、信頼性が厳しくテストされた高品質の DRAM モジュール ソリューションを提供します。
BCM87400A1KRFBG は、Broadcom の最先端の PAM-4 PHY テクノロジー プラットフォームを採用しており、nm CMOS テクノロジーを使用した業界初の 400G PAM-4 PHY トランシーバーです。
XCZU67DR-L2FFVE1156I は、XILINX の Zynq-7000 シリーズに属しており、ARM プロセッサと FPGA (フィールド プログラマブル ゲート アレイ) 構造を統合した高性能プログラマブル システム レベル チップ (SoC) であり、さまざまな高性能で複雑性の高いアプリケーションに適しています。組み込みシステム、マルチメディア処理、無線通信など
